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薄膜淀积-- PECVD/HDP/LPCVD/APCVD/MOACVD/外延VPE（一）虽然掺杂的区域和PN结形成电路中的电子有源元件的核心，但是需要各种其他的半导体、绝缘介质和导电层才能形成器件，并促使这些器件集成成为电路。有几种技术可以将这些层加到晶员的表面。重要一些是化学气相淀积（CVD）、物理气相淀积(PVD)、电镀、旋转涂敷和蒸发。本章将描述最常用的CVD技术和淀积在晶表面的半导体...

气相外延气相外延（VPE）与CVD系统的不同之处在于VPE可淀积化合物材料，如砷化镓（GaAs)。VPE系统由标准的液体源、管式反应炉和双区扩散炉组成（参见下图)。下图给出了一个详细的例子，用于淀积外延砷化镓。在主反应室内，砷化镓（GaAs）在晶圆表面上形成要经历的两个阶段：AsC13(三氯化砷）用鼓泡式进人反应炉的起始部分，在此与放置在舟内的固态镓反应。AsC13在起始部分与H2反应，形成...

半导体设备作为半导体产业的先导与基石，其技术水平直接决定了芯片制造的工艺精度与效率。而半导体设备关键零部件，则是设备的核心构成要素，堪称整个半导体产业的“底层密码”。从光刻机的精密光学镜头，到刻蚀机的射频电源，再到各类设备中的真空阀门、气体流量计等，这些零部件虽体积小巧，却掌控着设备运行的关键性能，对半导体制造的良率、产能起着决定性作用。SEMI发布的《300mm晶圆厂2027年展望报告》显...